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Référence fabricant

HIP2100IBZT

HIP2100 Series Low Side/High Side N-Ch 114 V 2 A Half Bridge Driver - SOIC-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Renesas
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Renesas HIP2100IBZT - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Configuration: Half Bridge
No of Outputs: Single
Peak Output Current: 2A
Supply Voltage-Max: 114V
Style d'emballage :  SOIC-8
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The HIP2100IBZT is a high frequency, 100 V half bridge N-channel power MOSFET driver IC, available in 8 pin SOIC package.

Features:

  • Drives N-Channel MOSFET Half Bridge
  • SOIC, EPSOIC, QFN and DFN Package Options
  • SOIC, EPSOIC and DFN Packages Compliant with 100 V Conductor Spacing Guidelines of IPC-2221
  • Pb-Free Product Available (RoHS Compliant)
  • Bootstrap Supply Max Voltage to 114VDC
  • On-Chip 1 Ω Bootstrap Diode
  • Fast Propagation Times for Multi-MHz Circuits
  • Drives 1000pF Load with Rise and Fall Times Typ. 10ns
  • CMOS Input Thresholds for Improved Noise Immunity
  • Independent Inputs for Non-Half Bridge Topologies
  • No Start-Up Problems
  • Outputs Unaffected by Supply Glitches, HS Ringing Below Ground, or HS Slewing at High dv/dt
  • Low Power Consumption
  • Wide Supply Range
  • Supply Undervoltage Protection
  • 3 Ω Driver Output Resistance

Applications:

  • Telecom Half Bridge Power Supplies
  • Avionics DC/DC Converters
  • Two-Switch Forward Converters
  • Active Clamp Forward Converters
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
6 475,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500+
$2.59
Product Variant Information section