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Référence fabricant
IMBG120R008M2HXTMA1
CoolSiC Series 1200 V 189 A 7.7 mOhm Single N-Channel SiC MOSFET - TO-263-7
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :D2PAK-7 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IMBG120R008M2HXTMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IMBG120R008M2HXTMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/imbg120r008m2hxtma1-infineon-3187355
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Infineon IMBG120R008M2HXTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 189A |
| Input Capacitance: | 6380pF |
| Power Dissipation: | 800W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | D2PAK-7 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000+
$21.61
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
D2PAK-7
Méthode de montage :
Surface Mount