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Référence fabricant
NCD57001DWR2G
NCD57001 Series 5V Dual Output Isolated High Current IGBT Gate Driver - SOIC-16W
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :SOIC-16W Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
onsemi NCD57001DWR2G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NCD57001DWR2G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--analog--drivers--mosfet-igbt-drivers/ncd57001dwr2g-onsemi-5110487
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onsemi NCD57001DWR2G - Caractéristiques techniques
| Configuration: | Half Bridge |
| No of Outputs: | Dual |
| Output Current: | 6A |
| Supply Voltage-Max: | 5V |
| Rated Power Dissipation: | 1400mW |
| Turn-off Delay Time: | 90ns |
| Turn-on Delay Time: | 90ns |
| Rise Time: | 10ns |
| Fall Time: | 15ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +125°C |
| Style d'emballage : | SOIC-16W |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
Strong gate-drive capability and good signal integrity are the basic requirements for high-performance gate drivers. Safety, reliability and robustness are the added requirements for high-voltage and high-power designs. ON Semiconductor’s high-voltage gate drivers fulfil the
requirements of high-power designs by exceeding expectations in these parameters.
APPLICATIONS
• Heating, ventilation and air-conditioning equipment
• Power factor correction
• Uninterruptible power supplies
• Motor drives
• White goods
• Inverters
• Electric vehicle chargers
FEATURES
• Low propagation delay
• Dead-time control
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-16W
Méthode de montage :
Surface Mount