text.skipToContent text.skipToNavigation

Référence fabricant

IGLD60R190D1AUMA1

IGLD60R190D1: 600 V 10 A CoolGaN™ Enhancement-Mode Power Transistor - LSON-8

Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 1910
Product Specification Section
Caractéristiques techniques
Attributes Table
Type: Power Transistor
Polarity: NPN
CE Voltage-Max: 600V
Collector Current Max: 23A
Power Dissipation-Tot: 62.5W
Configuration: Single
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Rise Time: 5ns
Fall Time: 12ns
Input Capacitance: 157pF
Style d'emballage :  PG-LSON-8-1
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

Infineon Technologies has extended its CoolGaN™ series of ultra-high efficiency Gallium Nitride (GaN) power transistors with the introduction of two new devices

APPLICATIONS
• Low-power switch-mode power supplies
• Telecoms rectifiers
• Servers
• Adapters and chargers
• Wireless charging
• Hi-fi and audio equipment

FEATURES
• Thermally-efficient surface-mount packages
• Low capacitance
• High quality and reliability
• Devices can be paralleled

Pricing Section
Stock
0
Commande minimale :
3 000
Multiples de :
3 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Total 
25 740,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
3 000+
$8.58
Product Variant Information section