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Référence fabricant


MR4A16B Series 1 M x 16 Bit 3.3 V 35 ns Asynchronous MRAM Memory - BGA-48

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Everspin Technologies
Emballage standard:
Code de date: 2041
Product Specification Section
Caractéristiques techniques
Attributes Table
Memory Density: 16Mb
Interface Type: Parallel
Memory Organization: 1 M x 16
Supply Voltage-Nom: 3V to 3.6V
Access Time-Max: 35ns
Temperature Range: -40°C to +85°C
Style d'emballage :  BGA-48
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The MR4A16BCMA35 is a magnetoresistive random access memory (MRAM) device organized as 1,048,576 words of 16 bits. It is available in a small footprint 48-pin ball grid array (BGA) package.

This device offers SRAM compatible 35 ns read/write timing with unlimited endurance. Datais always non-volatile for greater than 20 years. Data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification.


  • +3.3 Volt power supply
  • Fast 35 ns read/write cycle
  • SRAM compatible timing
  • Unlimited read & write endurance
  • Data always non-volatile for >20 years at temperature
  • RoHS-compliant small footprint BGA and TSOP2 package
  • AEC-Q100 Grade 1 option in TSOP2 package


  • One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM and BBSRAM in systems for simpler, more efficient designs
  • Improves reliability by replacing battery-backed SRAM

View the available MR4A16B series of MRAMs

Pricing Section
Stock globale:
Sur commande :Order inventroy details
2 916
Stock d'usine :Stock d'usine :
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
Multiples de :
tariff icon
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32,80 $
Prix Internet