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Référence fabricant

1N914B-TP

1N914B Series 500 mW 100 V 4 ns Silicon Epitaxial Diode - DO-35

Nom du fabricant: Micro Commercial Components
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2015
Product Specification Section
Caractéristiques techniques
Attributes Table
Reverse Voltage-Max [Vrrm]: 100V
Reverse Recovery Time-Max: 4ns
Power Dissipation: 500mW
Average Forward Current-Max: 0.2A
Peak Current-Max: 4A
Style d'emballage :  DO-35 (SOD-27)
Méthode de montage : Through Hole
Fonctionnalités et applications

The 1N914B-TP is a silicon epitaxial diode with 500 mW power dissipation.

Features:

  • Low Current Leakage
  • Compression Bond Construction
  • Low Cost
  • Moisture Sensitivity Level 1
  • Operating Temperature: -55 °C to +150 °C
  • Lead Free Finish/Rohs Compliant
Pricing Section
Stock:
10 000
Commande minimale :
10 000
Multiples de :
10 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Total 
145,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
10 000
$0.0145
30 000
$0.012
50 000
$0.0119
150 000
$0.0117
250 000+
$0.0116
Product Variant Information section