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Référence fabricant
FGH40T65SHD-F155
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2527 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FGH40T65SHD-F155 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FGH40T65SHD-F155&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/fgh40t65shd-f155-onsemi-7190751
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onsemi FGH40T65SHD-F155 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 650V |
| Collector Current @ 25C: | 80A |
| Power Dissipation-Tot: | 268W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 120A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.6V |
| Turn-on Delay Time: | 19.2ns |
| Turn-off Delay Time: | 65.6ns |
| Qg Gate Charge: | 72.2nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 31.8ns |
| Leakage Current: | 400nA |
| Input Capacitance: | 1995pF |
| Thermal Resistance: | 40°C/W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
450
États-Unis:
450
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
450
$1.78
900+
$1.75
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole