text.skipToContent text.skipToNavigation

Référence fabricant

HGTG20N60B3D

HGTG20N60B3 Series 600 V 40 A Flange Mount UFS N-Channel IGBT-TO-247

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2134
Product Specification Section
Caractéristiques techniques
Attributes Table
CE Voltage-Max: 600V
Collector Current @ 25C: 40A
Power Dissipation-Tot: 165W
Turn-on Delay Time: 25ns
Turn-off Delay Time: 220ns
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Flange Mount
Fonctionnalités et applications

The HGTG20N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors.

The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25 oC and 150 oC. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRP3060. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low
conduction losses are essential.

Features:

  • 40 A, 600 V at TC = 25 oC
  • Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140 ns at 150 oC
  • Short Circuit Rated
  • Low Conduction Loss
  • Hyperfast Anti-Parallel Diode

Applications:

  • TBA

View the complete HGTG series of IGBTs

Pricing Section
Stock globale:
720
États-Unis:
720
Sur commande :Order inventroy details
120
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
30 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
5,84 $
USD
Quantité
Prix Internet
1
$5.84
15
$5.30
50
$5.07
150
$4.88
500+
$4.67
Product Variant Information section