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Référence fabricant

DMTH6016LPSQ-13

Single N-Channel 60 V 2.6 W 17 nC Silicon Surface Mount Mosfet - POWERDI5060-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Diodes Incorporated
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2315
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMTH6016LPSQ-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 24mΩ
Rated Power Dissipation: 2.6W
Qg Gate Charge: 17nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 9.8A
Turn-on Delay Time: 3.4ns
Turn-off Delay Time: 13ns
Rise Time: 5.2ns
Fall Time: 7ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 2.5V
Technology: Si
Height - Max: 1.1mm
Length: 5.15mm
Input Capacitance: 864pF
Pricing Section
Stock global :
77 500
d’Allemagne (En ligne seulement):
77 500
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
512,50 $
USD
Quantité
Prix Internet
2 500
$0.205
5 000
$0.205
7 500
$0.20
10 000
$0.199
12 500+
$0.193
Product Variant Information section