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Référence fabricant

IMW120R045M1XKSA1

IMW120 Series 1200V 59mOhm 52 nC N-Channel SiC CoolSiC™ Trench MOSFET - TO-247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IMW120R045M1XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain-Source On Resistance-Max: 59mΩ
Rated Power Dissipation: 228W
Qg Gate Charge: 52nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 3.5V
Drain Current: 52A
Turn-on Delay Time: 9ns
Turn-off Delay Time: 17ns
Rise Time: 24ns
Fall Time: 13ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4.5V
Technology: SiC
Input Capacitance: 1900pF
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Flange Mount
$Fonctionnalités et applications

Infineon Technologies has announced that it has begun volume production of discrete 1,200V CoolSiC™ MOSFET devices in a TO247 package, with on-resistance ratings ranging from 30mΩ to 350mΩ.

APPLICATIONS
• Solar inverters
• Battery charging infrastructure
• Energy storage solutions
• Uninterruptible power supplies
• Motor drives
• Data center and telecoms power supplies

FEATURES
• Low device capacitance
• Temperature-independent switching losses
• Integral diode with low reverse-recovery charge
• Threshold-free on-state characteristics

Pricing Section
Stock globale:
0
États-Unis:
0
Sur commande :Order inventroy details
240
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
18,96 $
USD
Quantité
Prix Internet
1
$18.96
5
$18.72
25
$18.48
75
$18.32
200+
$18.05
Product Variant Information section