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Référence fabricant

IPN80R4K5P7ATMA1

Single N-Channel 800 V 4.5 Ohm 4 nC CoolMOS™ Power Mosfet - SOT-223

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Code de date: 1920
Product Specification Section
Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 800V
Drain-Source On Resistance-Max: 4.5Ω
Rated Power Dissipation: 6W
Qg Gate Charge: 4nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 1.5A
Turn-on Delay Time: 15ns
Turn-off Delay Time: 60ns
Rise Time: 15ns
Fall Time: 80ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: CoolMOS
Input Capacitance: 80pF
Style d'emballage :  SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock globale:
3 015
États-Unis:
3 015
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
0,60 $
USD
Quantité
Prix Internet
1
$0.60
50
$0.435
100
$0.41
500
$0.36
1 500+
$0.33