text.skipToContent text.skipToNavigation

Référence fabricant

IPP019N06NF2SAKMA1

StrongIRFET Series 60 V 33 A 1.9 mOhm Single N-Channel MOSFET - TO-220-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2215
Product Specification Section
Infineon IPP019N06NF2SAKMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 1.9mΩ
Rated Power Dissipation: 3.8W
Qg Gate Charge: 162nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 33A
Turn-on Delay Time: 22ns
Turn-off Delay Time: 48ns
Rise Time: 31ns
Fall Time: 17ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 3.3V
Input Capacitance: 7300pF
Series: StrongIRFET
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
1 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
1 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
50
Multiples de :
1000
Total 
39,75 $
USD
Quantité
Prix Internet
50
$0.795
2 000
$0.78
3 000
$0.77
4 000
$0.76
5 000+
$0.74
Product Variant Information section