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Référence fabricant


Single N-Channel 80 V 4 mOhm 54 nC StrongIRFET™ 2 Power MOSFET - TO-220-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2117
Product Specification Section
Infineon IPP040N08NF2SAKMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 80V
Drain-Source On Resistance-Max: 4mΩ
Rated Power Dissipation: 3.8W
Qg Gate Charge: 54nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 115A
Turn-on Delay Time: 13.6ns
Turn-off Delay Time: 27.7ns
Rise Time: 54.2ns
Fall Time: 12.5ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 3V
Input Capacitance: 3800pF
Series: StrongIRFET™ 2
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Fonctionnalités et applications
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80V features low RDS(on) of 4.0 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency. Compared to the previous technology the IPP040N08NF2S achieves 40 percent lower RDS(on) and 40 percent Qg improvement.

Summary of Features
 •Broad availability from distribution partners
 •Excellent price/performance ratio
 •Ideal for high- and low-switching frequency
 •Industry standard footprint through-hole package
 •High current rating
 •Capable of wave-soldering

 •Multi-vendor compatibility
 •Right-fit products
 •Supports a wide variety of applications
 •Standard pinout allows for drop-in replacement
 •Increased current carrying capability
 •Ease of manufacturing
Pricing Section
Stock global :
6 750
d’Allemagne (En ligne seulement):
6 750
Sur commande :
Stock d'usine :Stock d'usine :
Délai d'usine :
22 Semaines
Commande minimale :
Multiples de :
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
42,00 $
Prix Internet
2 000
5 000+
Product Variant Information section