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Référence fabricant

IPW60R018CFD7XKSA1

IPW60R018 Series N-Channel 600 V 101A 416W Through Hole MOSFET TO-247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon Technologies
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2533
Product Specification Section
Infineon Technologies IPW60R018CFD7XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 18mΩ
Rated Power Dissipation: 416W
Qg Gate Charge: 251nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 101A
Turn-on Delay Time: 80ns
Turn-off Delay Time: 220ns
Rise Time: 35ns
Fall Time: 8ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: CoolMOS
Input Capacitance: 9901pF
Series: CoolMOS CFD7
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
210
États-Unis:
210
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
210
Multiples de :
240
Total 
2 427,60 $
USD
Quantité
Prix unitaire
240
$11.56
480
$11.50
720+
$11.45
Product Variant Information section