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Référence fabricant
IQDH35N03LM5ATMA1
N-Channel 30 V 700 A 278 W 0.35mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TSON-8-9
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :PG-TSON-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IQDH35N03LM5ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IQDH35N03LM5ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/iqdh35n03lm5atma1-infineon-4196368
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Infineon IQDH35N03LM5ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.35mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 278W |
| Qg Gate Charge: | 91nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | ±20V |
| Drain Current: | 700A |
| Turn-on Delay Time: | 12ns |
| Turn-off Delay Time: | 70ns |
| Rise Time: | 5ns |
| Fall Time: | 14ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Technology: | Si |
| Input Capacitance: | 18000pF |
| Series: | OptiMOS™ 5 |
| Style d'emballage : | PG-TSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000+
$1.67
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
PG-TSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount