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Référence fabricant

STW88N65M5

STW88N65M5 Series 650 V 0.029 Ohm 84 A N-Channel MDmesh™ V Power Mosfet-TO-247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Code de date: 2111
Product Specification Section
STMicroelectronics STW88N65M5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.024Ω
Rated Power Dissipation: 450|W
Qg Gate Charge: 204nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 25V
Drain Current: 84A
Gate Source Threshold: 4V
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Flange Mount
Fonctionnalités et applications

The STW88N65M5 is a N-channel MDmesh™ V Power MOSFET. This device is a N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure.

The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among siliconbased Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

Features:

  • Worldwide best RDS(on) in TO-247
  • Higher VDSS rating
  • Higher dv/dt capability
  • Excellent switching performance
  • Easy to drive
  • 100% avalanche tested

Applications:

  • Servers
  • PV inverters
  • Telecom infrastructure
  • Multi kW battery chargers
Pricing Section
Stock global :
11 832
États-Unis:
11 832
Sur commande :Order inventroy details
600
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
11,05 $
USD
Quantité
Prix Internet
1
$11.05
5
$10.91
25
$10.77
75
$10.68
200+
$10.52