text.skipToContent text.skipToNavigation

Promotion Icon Livraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent

  1. home
  2. Semiconducteurs
  3. Discrets
  4. Transistors
  5. Silicon Carbide MOSFETs (SiC MOSFETs)
  6. IMCQ120R026M2HXTMA1

Infineon Technologies | IMCQ120R026M2HXTMA1

Référence fabricant

IMCQ120R026M2HXTMA1

N-Channel 1200 V 82 A 405 W Surface Mount Power Transistor - Q-DPAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon Technologies
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2413
Product Specification Section
Infineon Technologies IMCQ120R026M2HXTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 82A
Input Capacitance: 2.54nF
Power Dissipation: 405W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  PG-HDSOP-22
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
85
États-Unis:
85
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
52+Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
11,08 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$11.08
10
$9.87
40
$9.14
125
$8.54
400+
$7.93
Product Variant Information section