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Littelfuse - IXYS | IXSJ80N120R1K

Référence fabricant

IXSJ80N120R1K

1200 V 18 mOhm 80 A Through Hole N-Channel SiC Power MOSFET - ISO247-4L

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Littelfuse - IXYS
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Littelfuse - IXYS IXSJ80N120R1K - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 85A
Input Capacitance: 4556pF
Power Dissipation: 223.2W
Operating Temp Range: -40°C to +150°C
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
35 Semaines
Commande minimale :
300
Multiples de :
30
Total 
6 645,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$22.42
60
$22.30
120
$22.18
150
$22.15
450+
$21.91
Product Variant Information section