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Référence fabricant

SCT50N120

N-Channel 1200 V 59 mΩ 122 nC Silicon Carbide Power Mosfet - HiP247

Product Specification Section
STMicroelectronics SCT50N120 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 65A
Input Capacitance: 1900pF
Power Dissipation: 318W
Operating Temp Range: -55°C to +200°C
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
41 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
11 412,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
30
$19.39
60
$19.28
90
$19.21
120
$19.17
150+
$19.02