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Référence fabricant

BFU660F,115

BFU660 Series 5.5 V 27 dB Gain NPN Wideband Silicon RF Transistor - SOT-343F-4

Nom du fabricant: NXP
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Caractéristiques techniques
Attributes Table
Style d'emballage :  SOT-343F-4
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The BFU660F Series is a NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.

Features:

  • Low noise high linearity RF transistor
  • High output third-order intercept point 27 dBm at 1.8 GHz
  • 40 GHz fT silicon technology

Applications:

  • Analog/digital cordless applications
  • X-band high output buffer amplifier
  • ZigBee
  • SDARS second stage LNA
  • LTE, cellular, UMTS
Pricing Section
Stock:
0
Commande minimale :
6 000
Multiples de :
3 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Total 
1 020,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
3 000
$0.194
6 000
$0.17
9 000
$0.169
12 000+
$0.169
Product Variant Information section