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Référence fabricant
IPDD60R190G7XTMA1
N-Channel 600 V 190 mOhm 18 nC CoolMOS™ G7 Power Transistor - HDSOP-10
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1700 par Reel Style d'emballage :HDSOP-10 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPDD60R190G7XTMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPDD60R190G7XTMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipdd60r190g7xtma1-infineon-1100828
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Infineon IPDD60R190G7XTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 190mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 76W |
| Qg Gate Charge: | 18nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 13A |
| Turn-on Delay Time: | 16ns |
| Turn-off Delay Time: | 52ns |
| Rise Time: | 5ns |
| Fall Time: | 6.5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 718pF |
| Style d'emballage : | HDSOP-10 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 700
$1.15
3 400
$1.14
6 800+
$1.13
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1700 par Reel
Style d'emballage :
HDSOP-10
Méthode de montage :
Surface Mount