text.skipToContent text.skipToNavigation

Promotion IconFree shipping over $100 USD. Conditions apply

  1. home
  2. Semiconductores
  3. Componentes discretos
  4. Transistores
  5. Silicon Carbide MOSFETs (SiC MOSFETs)
  6. SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics | SCTWA90N65G2V-4

Manufacturer Part #

SCTWA90N65G2V-4

650 V 18 mOhm 119 A Silicon Carbide Power MOSFET - HiP247-4

Modelo ECAD:
Nombre del Fabricante: STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante:
Product Variant Information section
Código de fecha:
Product Specification Section
STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 - Caracteristicas Técnicas
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain Current: 119A
Input Capacitance: 3380pF
Power Dissipation: 565W
Operating Temp Range: -55°C to +200°C
Estilo de empaquetado:  TO-247-4
Método de montaje: Through Hole
Pricing Section
Stock global:
0
Alemania:
0
En pedido:
0
Stock en fábrica:Stock en fábrica:
0
Plazo de fábrica:
17 Weeks
Pedido mínimo:
1
Múltiples de:
60
Total
18,15 $
USD
Cantidad
Precio unitario
1
18,15 $
3
17,91 $
10
17,66 $
20
17,51 $
30+
17,28 $
Product Variant Information section