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Codice produttore

NTMT045N065SC1

N-Channel 650 V 55 A 187 W Surface Mount Silicon Carbide MOSFET - TDFN-4 (8x8)

Modello ECAD:
Fabbricante: onsemi
Confezione Standard:
Product Variant Information section
Codice data:
Product Specification Section
onsemi NTMT045N065SC1 - Caratteristiche Tecniche
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain Current: 55A
Input Capacitance: 1870pF
Power Dissipation: 187W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Tipologia confezione:  TDFN-4
Metodo di montaggio: Surface Mount
Pricing Section
Stock globale:
0
Germania:
0
In ordine:
0
Stock in fabbrica:Stock in fabbrica:
0
Lead Time del produttore:
16 Weeks
Ordine minimo:
3000
Multiplo di:
3000
Totale
18.210,00 $
USD
Quantità
Prezzo unitario
3.000+
6,07 $
Product Variant Information section