text.skipToContent text.skipToNavigation

Promotion IconFree shipping over $100 USD. Conditions apply

  1. home
  2. Semiconductores
  3. Componentes discretos
  4. Transistores
  5. Mosfet
  6. BSH105,215

Nexperia | BSH105,215

Manufacturer Part #

BSH105,215

BSH105 Series 20 V 200 mOhm 417 mW N-Ch Enhancement Mode MOS Transistor - SOT-23

Modelo ECAD:
Nombre del Fabricante: Nexperia
Número de pieza del fabricante:
Product Variant Information section
Código de fecha:
Product Specification Section
Nexperia BSH105,215 - Caracteristicas Técnicas
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 200mΩ
Rated Power Dissipation: 417mW
Qg Gate Charge: 3.9nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 8V
Drain Current: 1.05A
Turn-on Delay Time: 2ns
Turn-off Delay Time: 45ns
Rise Time: 4.5ns
Fall Time: 20ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 0.57V
Technology: Si
Input Capacitance: 152pF
Estilo de empaquetado:  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Método de montaje: Surface Mount
Pricing Section
Stock global:
0
Alemania:
0
En pedido:Order inventroy details
1.068.000
Stock en fábrica:Stock en fábrica:
0
Plazo de fábrica:
N/A
Pedido mínimo:
3000
Múltiples de:
3000
Total
519,00 $
USD
Cantidad
Precio unitario
3.000
0,173 $
6.000
0,171 $
9.000
0,17 $
12.000
0,169 $
15.000+
0,167 $
Product Variant Information section