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STMicroelectronics | STW56N60DM2

Référence fabricant

STW56N60DM2

N-Channel 600 V 60 mOhm Flange Mount MDmesh DM2 Power Mosfet - TO-247

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STW56N60DM2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 60mΩ
Rated Power Dissipation: 360W
Qg Gate Charge: 90nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 25V
Drain Current: 50A
Turn-on Delay Time: 24ns
Turn-off Delay Time: 130ns
Rise Time: 60ns
Fall Time: 12ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: MDmesh
Input Capacitance: 4100pF
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
36 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
600
Total 
6 258,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
600+
$10.43
Product Variant Information section