Manufacturer Part #
FGHL75T65LQDT
IGBT Transistors FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT D
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| Nombre del Fabricante: | onsemi | ||||||||||
| Número de pieza del fabricante: | Product Variant Information section Embalajes disponiblesCant. de paquetes:450 por Tube Estilo de empaquetado:TO-247-3 Método de montaje:Through Hole | ||||||||||
| Código de fecha: | 2334 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FGHL75T65LQDT - Especificaciones de producto
Información de envío:
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ECCN:
EAR99
Información del CP:
N/D
Archivo
Fecha
Estado del producto:
Attivo
Attivo
onsemi FGHL75T65LQDT - Caracteristicas Técnicas
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 650V |
| Collector Current @ 25C: | 80A |
| Power Dissipation-Tot: | 469W |
| Gate - Emitter Voltage: | ±20V |
| Pulsed Collector Current: | 300A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.15V |
| Turn-on Delay Time: | 45ns |
| Turn-off Delay Time: | 608ns |
| Qg Gate Charge: | 793nC |
| Input Capacitance: | 15300pF |
| Thermal Resistance: | 40°C/W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Estilo de empaquetado: | TO-247-3 |
| Método de montaje: | Through Hole |
Pricing Section
Stock global:
450
Alemania:
450
En pedido:
0
Plazo de fábrica:
12 Weeks
Cantidad
Precio unitario
450+
4,55 $
Product Variant Information section
Embalajes disponibles
Cant. de paquetes:
450 por Tube
Estilo de empaquetado:
TO-247-3
Método de montaje:
Through Hole