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Manufacturer Part #

BSC040N10NS5ATMA1

Single N-Channel 100 V 4 mOhm 58 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8

Modelo ECAD:
Nombre del Fabricante: Infineon
Número de pieza del fabricante:
Product Variant Information section
Código de fecha: 2524
Product Specification Section
Infineon BSC040N10NS5ATMA1 - Caracteristicas Técnicas
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 4mΩ
Rated Power Dissipation: 2.5|W
Qg Gate Charge: 58nC
Estilo de empaquetado:  TDSON-8
Método de montaje: Surface Mount
Pricing Section
Stock global:
120.000
Alemania:
120.000
950.000
Stock en fábrica:Stock en fábrica:
0
Plazo de fábrica:
11 Weeks
Pedido mínimo:
5000
Múltiples de:
5000
Total
3.850,00 $
USD
Cantidad
Precio unitario
5.000+
0,77 $
Product Variant Information section