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Manufacturer Part #

SIRA80DP-T1-RE3

Single N-Channel 30 V 0.62 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK SO-8

Modelo ECAD:
Nombre del Fabricante: Vishay
Número de pieza del fabricante:
Product Variant Information section
Código de fecha:
Product Specification Section
Vishay SIRA80DP-T1-RE3 - Caracteristicas Técnicas
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.62mΩ
Rated Power Dissipation: 6.25W
Qg Gate Charge: 125nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 82A
Turn-on Delay Time: 17ns
Turn-off Delay Time: 41ns
Rise Time: 23ns
Fall Time: 12ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 2.2V
Input Capacitance: 9530pF
Estilo de empaquetado:  POWERPAK-SO-8
Método de montaje: Surface Mount
Pricing Section
Stock global:
0
Alemania:
0
En pedido:
0
Stock en fábrica:Stock en fábrica:
0
Plazo de fábrica:
48 Weeks
Pedido mínimo:
6000
Múltiples de:
3000
Total
4.830,00 $
USD
Cantidad
Precio unitario
3.000+
0,805 $
Product Variant Information section