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Référence fabricant

IPD65R400CEAUMA1

Single N-Channel 650 V 400 mOhm 39 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2521
Product Specification Section
Infineon IPD65R400CEAUMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.4Ω
Rated Power Dissipation: 118W
Qg Gate Charge: 39nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 15.1A
Turn-on Delay Time: 10ns
Turn-off Delay Time: 57ns
Rise Time: 7ns
Fall Time: 8ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: CoolMOS
Input Capacitance: 710pF
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
1 087,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.435
5 000
$0.43
7 500
$0.425
12 500+
$0.415
Product Variant Information section