text.skipToContent text.skipToNavigation

Manufacturer Part #

BSC600N25NS3GATMA1

Single N-Channel 250 V 60 mOhm 22 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8

Modelo ECAD:
Nombre del Fabricante: Infineon
Número de pieza del fabricante:
Código de fecha:
Product Specification Section
Infineon BSC600N25NS3GATMA1 - Caracteristicas Técnicas
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 250V
Drain-Source On Resistance-Max: 60mΩ
Rated Power Dissipation: 125|W
Qg Gate Charge: 22nC
Método de montaje: Surface Mount
Pricing Section
Stock global:
0
Alemania:
0
En pedido:
0
Stock en fábrica:Stock en fábrica:
0
Plazo de fábrica:
23 Weeks
Pedido mínimo:
5000
Múltiples de:
5000
Total
8.300,00 $
USD
Cantidad
Precio unitario
5.000+
1,66 $