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Manufacturer Part #
IPP200N25N3GXKSA1
Single N-Channel 250 V 20 mOhm 64 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-220-3
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| Nombre del Fabricante: | Infineon | ||||||||||
| Número de pieza del fabricante: | Product Variant Information section Embalajes disponiblesCant. de paquetes:50 por Tube Estilo de empaquetado:TO-220-3 (TO-220AB) Método de montaje:Through Hole | ||||||||||
| Código de fecha: | 2433 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPP200N25N3GXKSA1 - Especificaciones de producto
Información de envío:
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ECCN:
EAR99
Información del CP:
Estado del producto:
Attivo
Attivo
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=EU&field16=es&field2=IPP200N25N3GXKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1emea.futureelectronics.com/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipp200n25n3gxksa1-infineon-5183576
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=EU&field16=es&field2=IPP200N25N3GXKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1emea.futureelectronics.com/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipp200n25n3gxksa1-infineon-5183576
Infineon IPP200N25N3GXKSA1 - Caracteristicas Técnicas
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 250V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 20mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 300|W |
| Qg Gate Charge: | 64nC |
| Estilo de empaquetado: | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Método de montaje: | Through Hole |
Pricing Section
Stock global:
350
Alemania:
350
Plazo de fábrica:
8 Weeks
Cantidad
Precio unitario
50
2,94 $
150
2,90 $
250
2,88 $
750
2,84 $
1.250+
2,81 $
Product Variant Information section
Embalajes disponibles
Cant. de paquetes:
50 por Tube
Estilo de empaquetado:
TO-220-3 (TO-220AB)
Método de montaje:
Through Hole