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onsemi | NTH4L160N120SC1

Manufacturer Part #

NTH4L160N120SC1

N-Channel 1200 V 17.3 A 111 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4L

Modelo ECAD:
Nombre del Fabricante: onsemi
Número de pieza del fabricante:
Product Variant Information section
Código de fecha:
Product Specification Section
onsemi NTH4L160N120SC1 - Caracteristicas Técnicas
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 17.3A
Input Capacitance: 665pF
Power Dissipation: 111W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Estilo de empaquetado:  TO-247-4L
Método de montaje: Through Hole
Pricing Section
Stock global:
0
Alemania:
0
En pedido:
0
Stock en fábrica:Stock en fábrica:
0
Plazo de fábrica:
14 Weeks
Pedido mínimo:
450
Múltiples de:
1
Total
1.953,00 $
USD
Cantidad
Precio unitario
5
4,67 $
25
4,57 $
75
4,51 $
150
4,47 $
400+
4,34 $
Product Variant Information section