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Hersteller Artikelnummer
MJD112T4G
MJD Series 100 V 2 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252
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| Herstellername: | onsemi | ||||||||||
| Standard Verpackungsart: | Product Variant Information section Verfügbare PaketePaketmenge:2500 pro Reel Paketstil:TO-252-3 (DPAK) Montagemethode:Surface Mount | ||||||||||
| Datencode: | 2433 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi MJD112T4G - Produktspezifikation
Versandinformationen:
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ECCN:
EAR99
PCN-Informationen:
N/A
Datei
Datum
Produktstatus:
Aktiv
Aktiv
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=EU&field16=de&field2=MJD112T4G&field4=onsemi&field18=https://p1emea.futureelectronics.com/de/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/mjd112t4g-onsemi-3190549
onsemi MJD112T4G - Technische Eigenschaften
Attributes Table
| Polarity: | NPN |
| Type: | Darlington |
| CE Voltage-Max: | 100V |
| Collector Current Max: | 2A |
| Power Dissipation-Tot: | 1.75W |
| DC Current Gain-Min: | 500 |
| Paketstil: | TO-252-3 (DPAK) |
| Montagemethode: | Surface Mount |
Pricing Section
Weltweiter Lagerbestand:
87.500
Deutschland:
87.500
In Bestellung:
0
Standard-Hersteller-Lieferzeit:
27 Wochen
Menge
Internetpreis
2.500
0,199 $
5.000
0,197 $
7.500
0,195 $
10.000+
0,193 $
Product Variant Information section
Verfügbare Pakete
Paketmenge:
2500 pro Reel
Paketstil:
TO-252-3 (DPAK)
Montagemethode:
Surface Mount