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Hersteller Artikelnummer
IPD068N10N3GATMA1
Single N-Channel 100 V 6.8 mOhm 51 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-252-3
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| Herstellername: | Infineon | ||||||||||
| Standard Verpackungsart: | Product Variant Information section Verfügbare PaketePaketmenge:2500 pro Reel Paketstil:TO-252-3 (DPAK) Montagemethode:Surface Mount | ||||||||||
| Datencode: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPD068N10N3GATMA1 - Produktspezifikation
Versandinformationen:
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ECCN:
EAR99
PCN-Informationen:
N/A
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Datum
Produktstatus:
Aktiv
Aktiv
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=EU&field16=de&field2=IPD068N10N3GATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1emea.futureelectronics.com/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipd068n10n3gatma1-infineon-9060192
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Infineon IPD068N10N3GATMA1 - Technische Eigenschaften
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 6.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 150|W |
| Qg Gate Charge: | 51nC |
| Paketstil: | TO-252-3 (DPAK) |
| Montagemethode: | Surface Mount |
Pricing Section
Weltweiter Lagerbestand:
0
Deutschland:
0
In Bestellung:
0
Standard-Hersteller-Lieferzeit:
12 Wochen
Menge
Internetpreis
2.500+
0,815 $
Product Variant Information section
Verfügbare Pakete
Paketmenge:
2500 pro Reel
Paketstil:
TO-252-3 (DPAK)
Montagemethode:
Surface Mount