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Manufacturer Part #

IPP60R022S7XKSA1

IPP60R Series 600 V 23 A 390 W 22 mOhm Single N-Channel MOSFET - TO-220-3

Modelo ECAD:
Nombre del Fabricante: Infineon
Número de pieza del fabricante:
Product Variant Information section
Código de fecha:
Product Specification Section
Infineon IPP60R022S7XKSA1 - Caracteristicas Técnicas
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 22mΩ
Rated Power Dissipation: 390W
Qg Gate Charge: 150nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 23A
Turn-on Delay Time: 30ns
Turn-off Delay Time: 150ns
Rise Time: 9ns
Fall Time: 9ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: CoolMOS
Input Capacitance: 5639pF
Series: CoolMOS
Estilo de empaquetado:  TO-220-3 (TO-220AB)
Método de montaje: Through Hole
Pricing Section
Stock global:
0
Alemania:
0
En pedido:
0
Stock en fábrica:Stock en fábrica:
0
Plazo de fábrica:
52+Weeks
Pedido mínimo:
500
Múltiples de:
50
Total
2.830,00 $
USD
Cantidad
Precio unitario
50
5,73 $
100
5,70 $
200
5,67 $
250
5,66 $
750+
5,61 $
Product Variant Information section