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Infineon | IRF8010STRLPBF

Référence fabricant

IRF8010STRLPBF

Single N-Channel 100 V 15 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2436
Product Specification Section
Infineon IRF8010STRLPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 15mΩ
Rated Power Dissipation: 260W
Qg Gate Charge: 81nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 80A
Turn-on Delay Time: 15ns
Turn-off Delay Time: 61ns
Rise Time: 130ns
Fall Time: 120ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: Si
Input Capacitance: 3830pF
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
tariff icon
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Total 
680,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800
$0.85
1 600
$0.84
2 400
$0.835
4 000
$0.825
8 000+
$0.805
Product Variant Information section