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Référence fabricant

BSZ0501NSIATMA1

BSZ0501NSI series 30V 40A 2.0 mOhm N-Ch S3O8 OptiMOS™ 5

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon BSZ0501NSIATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 2kΩ
Rated Power Dissipation: 2.1W
Qg Gate Charge: 33nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 25A
Turn-on Delay Time: 4ns
Turn-off Delay Time: 22ns
Rise Time: 4ns
Fall Time: 3ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 2V
Input Capacitance: 2000pF
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
5000
Multiples de :
5000
Total 
2 750,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.55
10 000+
$0.54
Product Variant Information section