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Hersteller Artikelnummer
IPP600N25N3GXKSA1
Single N-Channel 250 V 60 mOhm 22 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-220-3
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| Herstellername: | Infineon | ||||||||||
| Standard Verpackungsart: | Product Variant Information section Verfügbare PaketePaketmenge:50 pro Tube Paketstil:TO-220-3 (TO-220AB) Montagemethode:Through Hole | ||||||||||
| Datencode: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPP600N25N3GXKSA1 - Produktspezifikation
Versandinformationen:
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ECCN:
EAR99
PCN-Informationen:
N/A
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Datum
Produktstatus:
Aktiv
Aktiv
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=EU&field16=de&field2=IPP600N25N3GXKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1emea.futureelectronics.com/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipp600n25n3gxksa1-infineon-2193430
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Infineon IPP600N25N3GXKSA1 - Technische Eigenschaften
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 250V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 60mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 136|W |
| Qg Gate Charge: | 22nC |
| Paketstil: | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Montagemethode: | Through Hole |
Pricing Section
Weltweiter Lagerbestand:
0
Deutschland:
0
In Bestellung:
0
Standard-Hersteller-Lieferzeit:
20 Wochen
Menge
Internetpreis
500
1,33 $
1.000
1,32 $
2.000
1,31 $
2.500+
1,30 $
Product Variant Information section
Verfügbare Pakete
Paketmenge:
50 pro Tube
Paketstil:
TO-220-3 (TO-220AB)
Montagemethode:
Through Hole