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Référence fabricant

BSC061N08NS5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP - Tape and Reel

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon BSC061N08NS5ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 80V
Drain-Source On Resistance-Max: 6.1mΩ
Rated Power Dissipation: 2.5W
Qg Gate Charge: 27nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 82A
Turn-on Delay Time: 11ns
Turn-off Delay Time: 19ns
Rise Time: 6ns
Fall Time: 5ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: OptiMOS
Input Capacitance: 1900pF
Style d'emballage :  TDSON-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
5000
Multiples de :
5000
Total 
2 600,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
5 000+
0,52 $
Product Variant Information section