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Référence fabricant

S29GL512T11DHV020

FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 64-FBGA (9x9)

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon S29GL512T11DHV020 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Memory Density: 512Mb
Memory Organization: 64M x 8
Supply Voltage-Nom: 2.7V to 3.6V
Access Time-Max: 110ns
Temperature Grade: Industrial
Number of Words: 64 M
Word Length: 8b
Interface: Parallel
Operating Temp Range: -40°C to +105°C
Storage Temperature Range: -65°C to +150°C
Moisture Sensitivity Level: 3
Style d'emballage :  FBGA-64
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Commande minimale :
520
Multiples de :
260
Total 
4 404,40 $
USD
Quantité
Prix unitaire
260+
8,47 $
Product Variant Information section