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Référence fabricant
NGW60T65M3DFPQ
650 V, 60 A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Nexperia NGW60T65M3DFPQ - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
Pas encore classés.
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=EU&field16=fr&field2=NGW60T65M3DFPQ&field4=Nexperia&field18=https://p1emea.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/ngw60t65m3dfpq-nexperia-5197533
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Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
30
2,81 $
90
2,78 $
300
2,73 $
600
2,71 $
1 200+
2,67 $
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube