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Diodes Incorporated | DMN3065LW-7

Référence fabricant

DMN3065LW-7

Single N-Channel 30 V 85 mOhm 5.5 nC 770 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-323

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Diodes Incorporated
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2338
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN3065LW-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 85mΩ
Rated Power Dissipation: 770mW
Qg Gate Charge: 5.5nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 12V
Drain Current: 4A
Turn-on Delay Time: 1.9ns
Turn-off Delay Time: 10.3ns
Rise Time: 1.6ns
Fall Time: 2ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 1.5V
Technology: Si
Height - Max: 1mm
Length: 2.2mm
Input Capacitance: 465pF
Style d'emballage :  SOT-323 (SC-70)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
12 000
d’Allemagne:
12 000
Sur commande :Order inventroy details
273 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
1 278 000
Délai d'usine :
24 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
127,80 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
0,0426 $
9 000
0,0416 $
15 000
0,0411 $
45 000
0,0401 $
75 000+
0,0392 $
Product Variant Information section