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onsemi | NTJS3157NT1G

Référence fabricant

NTJS3157NT1G

N-Channel 20 V 45 mOhm 1 W SMT Trench Power MOSFET - SOT-363

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2450
Product Specification Section
onsemi NTJS3157NT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 60mΩ
Rated Power Dissipation: 1|W
Qg Gate Charge: 6.9nC
Style d'emballage :  SOT-363 (SC-70-6, SC-88)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
6 000
États-Unis:
6 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
43 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
660,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.22
6 000
$0.215
30 000+
$0.21
Product Variant Information section