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Référence fabricant
SIHJ10N60E-T1-GE3
600Volt, 10Amp, 360mohm, PPAKSO-8
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel | ||||||||||
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Vishay SIHJ10N60E-T1-GE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Description of Change: To meet increasing demand for commercial Power MOSFET products, Vishay Siliconix announces the qualification of wafer back-grind and back-metallization (BGBM) on Super Junction Commercial Power MOSFETs at in-house Siliconix Philippines Inc. (SPI) Facility in Binan, Philippines.Reason for Change: Manufacturing Capacity Expansion
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SIHJ10N60E-T1-GE3&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sihj10n60e-t1-ge3-vishay-3114480
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3000 par Reel