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Référence fabricant
STFW3N170
STFW3N170 Series 1700 V 13 Ohm N-Channel PowerMESH™ Power MOSFET - TO-3PF
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :300 par Tube Style d'emballage :TO-3PF Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STFW3N170 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STFW3N170&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stfw3n170-stmicroelectronics-6067453
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STMicroelectronics STFW3N170 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1700V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 13Ω |
| Rated Power Dissipation: | 63|W |
| Qg Gate Charge: | 44nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 2.6A |
| Turn-on Delay Time: | 25ns |
| Turn-off Delay Time: | 51ns |
| Rise Time: | 9ns |
| Fall Time: | 53ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Height - Max: | 26.7mm |
| Length: | 15.7mm |
| Input Capacitance: | 1100pF |
| Style d'emballage : | TO-3PF |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
300
$3.00
600
$2.97
900
$2.96
1 200
$2.95
1 500+
$2.92
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
300 par Tube
Style d'emballage :
TO-3PF
Méthode de montage :
Through Hole