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Référence fabricant
STP20NF20
N-Channel 200 V 0.125 Ohm Flange Mount STripFET™ Power MosFet - TO-220
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2252 | ||||||||||
STMicroelectronics STP20NF20 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STP20NF20&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stp20nf20-stmicroelectronics-8028659
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STMicroelectronics STP20NF20 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.125Ω |
| Rated Power Dissipation: | 110W |
| Qg Gate Charge: | 28nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 18A |
| Turn-on Delay Time: | 15ns |
| Turn-off Delay Time: | 40ns |
| Rise Time: | 30ns |
| Fall Time: | 10ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Input Capacitance: | 940pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The STP20NF20 is a Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET™ process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced highefficiency isolated DC-DC converters.
Features:
- Exceptional dv/dt capability
- Low gate charge
- 100% avalanche tested
Application:
- Switching applications
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole