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Référence fabricant
LSIC1MO120E0160
LSIC1MO120 Series 1200 V 160 mOhm N-Ch. Enhancement-Mode SiC MOSFET - TO-247-3
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| Nom du fabricant: | Littelfuse | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Littelfuse LSIC1MO120E0160 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Description:Littelfuse would like to inform you about the qualification of two second sources of epi wafer material for its 1200V and 1700V Silicon Carbide MOSFET series “LSIC1MO”. These second sources will allow us to provide better service by reducing our production lead time and ensuring safety of supply for the MOSFETs.
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=LSIC1MO120E0160&field4=Littelfuse&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/lsic1mo120e0160-littelfuse-C088698559
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- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=LSIC1MO120E0160&field4=Littelfuse&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/lsic1mo120e0160-littelfuse-C088698559
Littelfuse LSIC1MO120E0160 - Caractéristiques techniques
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 22A |
| Input Capacitance: | 870pF |
| Power Dissipation: | 125W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole