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Référence fabricant

BSP170PH6327XTSA1

Single P-Channel 60 V 300 mOhm 10 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-223

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2525
Product Specification Section
Infineon BSP170PH6327XTSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 300mΩ
Rated Power Dissipation: 1.8|W
Qg Gate Charge: 10nC
Style d'emballage :  SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
109 000
États-Unis:
109 000
Sur commande :Order inventroy details
16 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
9 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
210,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.21
3 000
$0.205
20 000
$0.199
30 000+
$0.196
Product Variant Information section