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Référence fabricant
NVF2955T1G
Single P-Channel 60 V 2.6 A 170 mOhm Surface Mount Power MOSFET SOT-223
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :SOT-223 (TO-261-4, SC-73) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
onsemi NVF2955T1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NVF2955T1G&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/nvf2955t1g-onsemi-1184725
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onsemi NVF2955T1G - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 170mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.3|W |
| Qg Gate Charge: | 14.3nC |
| Style d'emballage : | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NVF2955T1G is a part of NVF2955 series P-channel power MOSFET. It has a storage temperature ranging from -55°C to +175°C and its available in SOT-223 package.
This is a -60 V, P-Channel MOSFET in SOT-223 package. It is an extremely rugged device and has a large safe operating area.
Features:
- TMOS7 Design for low RDS(on)
- Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes
- AEC Q101 Qualified-NVF2955, NVF2955P
- These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Applications:
- Power Supplies
- PWM Motor Control
- Converters
- Power Management
View the complete family of P-channel power MOSFET
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage :
Surface Mount