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Référence fabricant
SQ4940AEY-T1_GE3
Dual N-Channel 40 V 0.024 Ohm 28.4 nC TrenchFET® Automotive Mosfet - SOIC-8
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Vishay SQ4940AEY-T1_GE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SQ4940AEY-T1_GE3&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sq4940aey-t1-ge3-vishay-9062492
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Vishay SQ4940AEY-T1_GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 24mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 4W |
| Qg Gate Charge: | 28.4nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 8A |
| Turn-on Delay Time: | 8ns |
| Turn-off Delay Time: | 20ns |
| Rise Time: | 13ns |
| Fall Time: | 9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Input Capacitance: | 593pF |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
25 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.49
5 000
$0.485
7 500
$0.48
12 500+
$0.47
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount